对于常规VDMOS 器件结构， Rdson 与BV 这一对矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI 参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI 参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson 就大了。Rdson直接决定着MOS 单体的损耗大小。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和，这就是常规VDMOS的局限性。但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI 的的P 区，大大提高了BV，同时对Rdson 上不产生影响。对于常规VDMOS，反向耐压，主要靠的是N 型EPI 与body区界面的PN 结，对于一个PN 结，耐压时主要靠的是耗尽区承受，耗尽区内的电场大小、耗尽区扩展的宽度的面积。常规VDSMO，P body 浓度要大于N EPI，大家也应该清楚，PN 结耗尽区主要向低参杂一侧扩散，所以此结构下，P body 区域一侧，耗尽区扩展很小，基本对承压没有多大贡献，承压主要是P body－－N EPI 在N 型的一侧区域，这个区域的电场强度是逐渐变化的，越是靠近PN 结面，电场强度E 越大。对于COOLMOS 结构，由于设置了相对P body 浓度低一些的P region 区域，所以P 区一侧的耗尽区会大大扩展，并且这个区域深入EPI 中，造成了PN 结两侧都能承受大的电压，换句话说，就是把峰值电场Ec 由靠近器件表面，向器件内部深入的区域移动了。
1.通态阻抗小，通态损耗小。
由于SJ-MOS 的Rdson 远远低于VDMOS，在系统电源类产品中SJ-MOS 的导通损耗必然较之VDMOS要减少的多。其大大提高了系统产品上面的单体MOSFET 的导通损耗，提高了系统产品的效率，SJ-MOS的这个优点在大功率、大电流类的电源产品产品上，优势表现的尤为突出。
2.同等功率规格下封装小，有利于功率密度的提高。
首先，同等电流以及电压规格条件下，SJ-MOS 的晶源面积要小于VDMOS 工艺的晶源面积，这样作为MOS 的厂家，对于同一规格的产品，可以封装出来体积相对较小的产品，有利于电源系统功率密度的提高。
其次，由于SJ-MOS 的导通损耗的降低从而降低了电源类产品的损耗，因为这些损耗都是以热量的形式散发出去，我们在实际中往往会增加散热器来降低MOS 单体的温升，使其保证在合适的温度范围内。由于SJ-MOS 可以有效的减少发热量，减小了散热器的体积，对于一些功率稍低的电源，甚至使用SJ-MOS 后可以将散热器彻底拿掉。有效的提高了系统电源类产品的功率密度。
3.栅电荷小，对电路的驱动能力要求降低。
传统VDMOS 的栅电荷相对较大，我们在实际应用中经常会遇到由于IC 的驱动能力不足造成的温升问题，部分产品在电路设计中为了增加IC 的驱动能力，确保MOSFET 的快速导通，我们不得不增加推挽或其它类型的驱动电路，从而增加了电路的复杂性。SJ-MOS 的栅电容相对比较小，这样就可以降低其对驱动能力的要求，提高了系统产品的可靠性。
4.节电容小，开关速度加快，开关损耗小。
由于SJ-MOS 结构的改变，其输出的节电容也有较大的降低，从而降低了其导通及关断过程中的损耗。同时由于SJ-MOS 栅电容也有了响应的减小，电容充电时间变短，大大的提高了SJ-MOS 的开关速度。对于频率固定的电源来说，可以有效的降低其开通及关断损耗。提高整个电源系统的效率。